Samsung Оперативная память M471b5173eb0 4gb 1600 ddr3
Арт. M471B5173EB0-YK0
4 ГБ DDR3, 1600 МГц
Нашли дешевле?
Хочу в подарок
модуль памяти Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB DDR3 1600 МГц PC3-12800 204-pin SODIMM ноутбучная память 1x4GB CL11 1.35V одноранговая память NON-ECC память для ноутбука
Samsung M471B5173EB0-YK0
4GB DDR3-1600 (PC3-12800) SODIMM, 204-pin, 1.35V
Общая информация
Производитель
Samsung
Парт номер / Артикул
M471B5173EB0-YK0
Тип продукта
Модуль памяти DDR3 SODIMM
Состояние
Восстановленный (Refurbished)
Упаковка
Bulk (россыпь)
Основные характеристики
Общая емкость
4GB
Технология памяти
DDR3 SDRAM
Количество модулей
1 x 4GB
Контроль ошибок (ECC)
NON-ECC
Производительность
Скорость (Рейтинг)
PC3-12800
Скорость (Частота)
DDR3-1600
Тайминги CAS Latency
CL11
Напряжение
1.35V
Ранговость
1R (Single Rank)
Физические и технические параметры
Тип форм-фактора
SODIMM
Количество контактов
204-pin
Плотность (Density)
512x8
Количество чипов
08c
Форм-фактор SODIMM: Компактный размер модуля предназначен для использования в ноутбуках, мини-ПК, моноблоках и других устройствах с ограниченным внутренним пространством.
Энергоэффективность: Низкое рабочее напряжение 1.35V способствует снижению общего энергопотребления системы и увеличению времени автономной работы ноутбуков.
Надежность Samsung: Несмотря на восстановленное состояние, модуль производится ведущим производителем микросхем памяти, что является залогом совместимости и стабильной работы в совместимых системах.
Отзывы
Загрузка отзывов...
Добавить отзыв
